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日本advance riko熱電阻評價(jia) 儀(yi) ZEM-3係列
這是一種同時測量熱電材料的熱電率（塞貝克係數）和電導率的裝置。我們(men) 準備了溫度範圍為(wei) -80°C至1000°C的測量儀(yi) 器，操作簡單。
用途
半導體(ti) ，陶瓷，金屬等廣泛材料的熱電特性評價(jia) 。
特長
采用溫度可控性優(you) 異的紅外線金像加熱爐和溫差控製用微加熱器
測量由計算機控製，可以在規定溫度下對各溫差進行測量，也可以消除暗電動勢等自動測量
標配自動歐姆接觸檢查（V-I圖）
可選附件可用於(yu) 測量薄膜
可定製為(wei) 高電阻
標準
熱電能JIS R 1650-1
電阻率JIS R 1650-2
仕様
| 型式 | ZEM-3L | ZEM-3LW | ZEM-3M8 | ZEM-3M10 | ZEM-3HR |
|---|---|---|---|---|---|
| 溫度設定範圍 | 測量溫度步長和溫差步長125 | ||||
| 溫度範圍 | -80〜100℃ | －100〜200℃ | 50〜800℃ | 50〜1000℃ | 50～800℃/1000℃ |
| 樣品尺寸 | 角或，φ2～4mm×長5～22mm | ||||
| 測量氣氛 | 低壓He氣體中（大氣中） | ||||
| 電阻測量範圍* | 50μΩ～ 100kΩ | 50μΩ～ 10MΩ | |||
測量原理
樣品以圓柱形或方柱的形式垂直放置在加熱爐中的上塊和下塊之間。通過下塊中的加熱器給樣品施加溫度梯度，同時將樣品加熱並保持在規定的溫度。塞貝克係數的測量是通過測量壓在樣品側麵的熱電偶上的上部和下部T1，T2與熱電偶一側的同一股線之間的熱電動勢dE來確定的。
電阻測量采用直流四端法，通過在樣品兩端施加恒定電流I，測量熱電偶同一元件線之間的電壓降dV，並去除引線之間的熱電動勢來確定。
電阻測量采用直流四端法，通過在樣品兩端施加恒定電流I，測量熱電偶同一元件線之間的電壓降dV，並去除引線之間的熱電動勢來確定。
P型Si80Ge20燒結體的測量實例
提供數據:工業(ye) 科學技術研究所能源技術研究部熱電轉換小組
日本advance riko熱電阻評價(jia) 儀(yi) ZEM-3係列
